갈륨 산화물

-산화갈륨/가₂O₃일반적으로 산화갈륨으로 알려진 는 최근 몇 년간 반도체 분야의 초점이 되어 왔으며 4세대 반도체의 새로운 장을 제시합니다. 실험실에서는 연구자들이 계속해서 눈길을 끄는 획기적인 발전을 이루고 있으며, 대량 생산과 상용화 속도도 계속해서 가속화되고 있습니다.

산화갈륨은 밴드갭 폭이 4.7-4.9eV이고 임계 항복 전계 강도가 8MV/cm(SiC의 이론 한계인 2.5MV/cm 및 GaN의 3.3MV/cm보다 훨씬 높음)로 화학적 및 열적 안정성이 우수하고 전자 이동도는 250cm2/V·s이며 강한 투명 전도성을 갖습니다. Baliga의 성능 지수는 GaN 및 SiC 소재의 몇 배에 달하는 3000을 초과합니다.

-가₂O₃또한 태양광 차단 자외선(200~280nm) 감지 분야에서도 폭넓은 응용 가능성을 갖고 있습니다. 산화갈륨의 밴드갭 폭은 4.8-4.9eV이고 해당 흡수 밴드 가장자리는 약 250nm입니다. AlGaN 및 ZnMgO와 유사한 합금 공정이 필요하지 않습니다. 햇빛이 가리는 자외선 검출기를 만드는 데 이상적인 재료입니다.

산화갈륨( -가₂O₃) 결정은 화학적 성질이 안정적이고 쉽게 부식되지 않으며 기계적 강도가 높고 고온에서 안정적인 성능을 가지며 가시 광선 및 자외선 투명도가 높습니다. 특히 자외선과 청색광 영역에서 투명합니다. 이것은 전통적인 투명 전도성 재료입니다. 따라서 -Ga2O3 단결정은 차세대 투명 전도성 재료가 될 수 있으며 태양전지 및 평면 패널 디스플레이 기술에 적용될 수 있습니다. -Ga2O3 단결정의 전도도는 주변 환경의 변화에 ​​따라 변화하며 가스 감지 기술에 사용될 수 있습니다.